구리 코어 볼은 3D 패키징, HBM 메모리 스태킹, AI 칩과 고급 GPU의 -고밀도 통합, 고성능 컴퓨팅을 위한 핵심 상호 연결 재료입니다. 구조적 안정성과 우수한 전열 성능은 다{5}}층 적층 공정을 지원하고 시스템 신뢰성을 향상시킵니다.
3D 패키징: 고밀도-스태킹을 위한 구조적 기반
3D 패키징에서는 여러 칩이 동일한 패키지 내에 수직으로 쌓여 있으므로 여러 리플로우 솔더링 공정이 필요합니다. 기존의 솔더 볼은 고온에서 녹은 후 중력 압력에 의해 붕괴되어 단락이 발생하기 쉽습니다. 구리 코어 용융점이 1083도인 구리 코어 볼은 리플로우 솔더링 중에 약 250도에서 견고하게 유지되어 솔더 조인트 간격을 효과적으로 유지하고 변형 및 브리징을 방지하며 다층 구조의 안정성을 보장합니다-.
HBM 메모리 스태킹: "메모리 벽"을 깨기 위한 핵심 지원
고대역폭 메모리(HBM)는-다층의 DRAM 칩을 수직으로 쌓아 TB/s-수준의 데이터 전송 속도를 달성합니다. 이 구조는 솔더 접합 신뢰성에 대한 요구가 매우 높습니다. 구리 코어 볼은 HBM 내의 여러 DRAM 레이어 사이의 물리적 공간적 안정성을 보장할 뿐만 아니라 솔더 볼보다 5~10배 높은 전도성으로 전류 밀도를 크게 줄이고 일렉트로 마이그레이션을 억제하며 메모리 수명을 연장합니다.
AI 칩: 높은 전력 소비 및 높은 전류 밀도를 위해 선호되는 솔루션 AI 트레이닝 칩(예: NVIDIA H100)은 매우 높은 국부 전류 밀도로 작동 중에 수백 와트를 소비할 수 있습니다. 구리 코어 구체의 높은 전도성과 열 전도성은 신호 대기 시간을 줄이고, 에너지 효율성을 향상시키며, 열을 빠르게 방출하여 핫스팟 문제를 완화하는 데 도움이 됩니다. 일렉트로마이그레이션 저항성과 충격 저항성에 대한 장점은 장기간 높은 부하에서 AI 칩의 안정적인 작동을 보장합니다.-
고급{0}}엔드 GPU 패키징: 고성능-그래픽 및 컴퓨팅 구현 현대의 고급{2}} GPU는 Chiplet 설계와 2.5D/3D 패키징 기술을 사용하여 실리콘 인터포저를 통해 컴퓨팅 코어와 HBM 메모리를 통합합니다. 칩과 인터포저 사이의 수직 상호 연결 매체 역할을 하는 구리 코어 볼은 기존 볼 장착 장비 및 리플로우 공정과 호환될 뿐만 아니라 여러 열 주기 중에 연결 신뢰성을 유지하므로 높은-대역폭, 낮은-지연 통신을 달성하기 위한 핵심 구성 요소가 됩니다.
